[发明专利]半导体存储装置和操作半导体存储装置的方法有效
| 申请号： | 201610916491.3 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106997783B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 车相彦;郑会柱;姜郁成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 贾洪菠;邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了半导体存储装置和操作半导体存储装置的方法。可以通过访问存储单元阵列的页以提供包括可单独写入至存储器的页的数据子单元的数据，并提供配置为检测和校正数据中的误差位的奇偶校验数据，以及响应于确定所选数据子单元包括可校正误差而选择性地实现所选数据子单元的回写，来提供从包括存储单元阵列和误差校正电路的半导体存储装置擦除误差的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 操作 方法 | ||
【主权项】：
一种操作包括存储单元阵列和误差校正电路的半导体存储装置的方法，所述方法包括：响应于从外部存储控制器接收的第一命令，选择所述存储单元阵列中的存储单元的页的至少一个子页；从所述子页读取包括至少两个数据子单元和奇偶校验数据的第一数据单元，其中所述至少两个数据子单元包括第一数据子单元和第二数据子单元，所述第一数据子单元读取自所述子页的第一存储位置，所述第二数据子单元读取自所述子页的第二存储位置；在所述误差校正电路中确定所述第一数据单元是否包括误差位；当所述第一数据单元在所述第二数据子单元中包括误差位时，在所述误差校正电路中使用所述第一数据单元的奇偶校验数据校正所述误差位以提供校正的第二数据子单元；以及将校正的第二数据子单元回写至所述子页的所述第二存储位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610916491.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
