[发明专利]LED基板的形成方法有效
| 申请号： | 201610916336.1 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106952985B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 金永奭 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供LED基板的形成方法，能够通过简单的作业且低廉地形成LED基板。该LED基板的形成方法通过如下的工序来形成LED基板：缓冲层形成工序，在硅基板的正面上形成缓冲层；发光层形成工序，在缓冲层的表面上形成发光层；环状加强部形成工序，留出硅基板的背面的外周部分而对中央部分进行磨削从而形成环状加强部；反射膜形成工序，在硅基板的背面上形成反射膜；电极形成工序，在该反射膜上形成电极；以及分割工序，沿着分割预定线分割成芯片。 | ||
| 搜索关键词： | led 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种LED基板的形成方法，其中，该LED基板的形成方法具有如下的工序：缓冲层形成工序，在硅基板的一个面上形成缓冲层；发光层形成工序，在通过该缓冲层形成工序所形成的缓冲层的表面上形成发光层；环状加强部形成工序，在该发光层形成工序之后，对硅基板的另一个面的中央进行磨削并形成凹部，由此在该凹部的外侧形成环状加强部；反射膜形成工序，在该环状加强部形成工序之后，在该凹部上形成反射膜；电极形成工序，在通过该反射膜形成工序所形成的该反射膜的表面上形成电极；以及分割工序，在该电极形成工序之后，沿着分割预定线分割成芯片。
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