[发明专利]LED基板的形成方法有效
申请号: | 201610916336.1 | 申请日: | 2016-10-20 |
公开(公告)号: | CN106952985B | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 金永奭 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L21/304 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 形成 方法 | ||
1.一种LED基板的形成方法,其中,该LED基板的形成方法具有如下的工序:
缓冲层形成工序,在硅基板的一个面上形成缓冲层;
发光层形成工序,在通过该缓冲层形成工序所形成的缓冲层的表面上形成发光层;
环状加强部形成工序,在该发光层形成工序之后,对硅基板的另一个面的中央进行磨削并形成凹部,由此在该凹部的外侧形成环状加强部;
反射膜形成工序,在该环状加强部形成工序之后,在通过该环状加强部抑制该硅基板的翘曲的状态下,在该凹部的底面上形成反射膜,以防止由于在该凹部的底面上形成反射膜而在该反射膜与该硅基板上产生由热应变引起的翘曲而导致该硅基板破裂;
电极形成工序,在通过该反射膜形成工序所形成的该反射膜的表面上形成电极;以及
分割工序,在该电极形成工序之后,沿着分割预定线分割成各个芯片,
所述环状加强部形成工序仅在所述发光层形成工序之后且所述反射膜形成工序之前进行。
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