[发明专利]LED基板的形成方法

说明书

提供LED基板的形成方法，能够通过简单的作业且低廉地形成LED基板。该LED基板的形成方法通过如下的工序来形成LED基板：缓冲层形成工序，在硅基板的正面上形成缓冲层；发光层形成工序，在缓冲层的表面上形成发光层；环状加强部形成工序，留出硅基板的背面的外周部分而对中央部分进行磨削从而形成环状加强部；反射膜形成工序，在硅基板的背面上形成反射膜；电极形成工序，在该反射膜上形成电极；以及分割工序，沿着分割预定线分割成芯片。

技术领域

本发明涉及LED基板的形成方法。

背景技术

以往，在蓝宝石基板上层叠由n-GaN层、活性层、p-GaN层构成的发光层而形成LED(Light Emitting Diode)基板。作为LED基板，公知不与具有绝缘性的蓝宝石基板分离而在与p型电极相邻的位置处配置了n型电极的水平构造的LED基板(例如，参照专利文献1)。关于水平构造的LED基板，对p-GaN层侧进行蚀刻而使n-GaN层部分地露出，并在p-GaN层的正面和n-GaN层的正面上分别配置有p型电极和n型电极。存在因电流从p型电极朝向n型电极时聚集而导致LED基板的耐久性降低的可能性。

并且，作为LED基板，公知与具有绝缘性的蓝宝石基板分离而垂直地配置了p型电极和n型电极的垂直构造的LED基板(例如，参照专利文献2)。关于垂直构造的LED基板，当通过激光剥离(LLO：Laser Lift Off)将蓝宝石基板从n-GaN层分离，并在p-GaN层的正面和n-GaN层的背面分别配置了p型电极和n型电极之后通过支承基板来进行支承。因此，与水平构造的LED基板不同，在电流从p型电极朝向n型电极时不会聚集，提高了LED的耐久性。

近年来，还开发出了代替蓝宝石基板在硅基板上隔着缓冲层而层叠发光层来形成LED基板的技术(GaN on Silicon(硅上氮化镓)技术)(例如，参照专利文献3、4)。作为外延基板，硅基板比蓝宝石基板更低廉，能够大幅削减LED基板的制造时的成本。

专利文献1：日本特开平09-116192号公报

专利文献2：日本特许第5653327号公报

专利文献3：日本特开2012-243807号公报

专利文献4：日本特许第5752855号公报

但是，在硅基板和GaN中，由于晶格失配较大，所以为了层叠GaN层而需要在硅基板上形成好几层缓冲层。并且，在形成垂直构造的LED基板的情况下，很难使用上述的激光剥离将硅基板从LED基板分离。即使假设能够将硅基板从LED基板分离而从硅基板转贴到支承基板上，也存在产生转贴作业而作业相应地变得复杂的问题。

发明内容

本发明是鉴于该点而完成的，其目的在于提供LED基板的形成方法，能够通过简单的作业且低廉地形成LED基板。

本发明的LED基板的形成方法具有如下的工序：缓冲层形成工序，在硅基板的一个面上形成缓冲层；发光层形成工序，在通过该缓冲层形成工序所形成的缓冲层的表面上形成发光层；环状加强部形成工序，在该发光层形成工序之后，对硅基板的另一个面的中央进行磨削并形成凹部，由此在该凹部的外侧形成环状加强部；反射膜形成工序，在该环状加强部形成工序之后，在该凹部上形成反射膜；电极形成工序，在通过该反射膜形成工序所形成的该反射膜的表面上形成电极；以及分割工序，在该电极形成工序之后，沿着分割预定线分割成芯片。

根据该结构，对硅基板的另一个面的中央部分进行磨削而在中央部分的周围形成环状加强部。由于通过环状加强部来确保硅基板的刚性，所以即使硅基板的中央部分变薄也不会产生翘曲。因此，不产生从硅基板到支承基板的基板的转贴作业。并且，由于硅基板的中央部分较薄，所以从发光层的背面发出的光透过硅基板而经反射膜反射，由此，提高了发光效率。并且，能够通过将硅基板作为外延基板来大幅削减成本。