[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件包括第一FET和第二FET，该第一FET和第二FET分别包括第一和第二沟道区域。第一FET和第二FET分别包括第一和第二栅极结构。第一和第二栅极结构包括在第一和第二沟道区域上方形成的第一和第二栅极介电层以及在第一和第二栅极介电层上方形成的第一和第二栅电极层。第一和第二栅极结构沿着第一方向对准。第一栅极结构和第二栅极结构通过由绝缘材料制成的分离插塞分离。第一栅电极层与分离插塞的侧壁接触。本发明实施例涉及半导体集成电路，且更具体地涉及具有鳍结构的半导体器件及其制造工艺。

主权项

1.一种半导体器件，包括：/n第一鳍场效应晶体管，包括在第一方向上延伸的第一鳍结构以及包括第一栅极结构，所述第一栅极结构包括在所述第一鳍结构上方形成的第一栅极介电层和在所述第一栅极介电层上方形成的第一栅电极层，且所述第一栅极结构在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；以及/n第二鳍场效应晶体管，包括在所述第一方向上延伸的第二鳍结构以及包括第二栅极结构，所述第二栅极结构包括在所述第二鳍结构上方形成的第二栅极介电层和在所述第二栅极介电层上方形成的第二栅电极层，且所述第二栅极结构在所述第二方向上延伸；其中：/n所述第一栅极结构和所述第二栅极结构沿着所述第二方向对准，/n所述第一栅极结构和所述第二栅极结构通过由绝缘材料制成的分离插塞分离，以及/n所述第一栅电极层与所述分离插塞的侧壁接触，其中，所述第一栅电极层包括在所述第一鳍结构上方形成的下面的层和主金属电极层，并且所述主金属电极层与所述分离插塞的所述侧壁接触。/n