[发明专利]采用原位生长石墨烯包覆金属膜的复合透明电极制备方法

摘要

本发明公开了一种采用原位生长石墨烯包覆金属膜的复合透明电极制备方法，包括：步骤S1、制作龟裂模板；步骤S2、沉积网状金属薄膜；步骤S3、去除龟裂模板；步骤S4、原位选择性生长石墨烯。本发明能够确保石墨烯薄膜对网状金属薄膜保护的可靠性，并能够提高复合透明电极的光透射率、导电性、机械性能以及环境稳定性，具有适于复合透明电极的大范围低成本制备、步骤简单、流程少、生长时间短、降低了反应温度的优点。

主权项

1.一种采用原位生长石墨烯包覆金属膜的复合透明电极制备方法，包括：步骤S1、制作龟裂模板：通过在玻璃衬底(1)顶面上沉积一层易于去除的有机溶胶薄膜(2)，并控制所述有机溶胶薄膜(2)自然龟裂，以形成位于所述玻璃衬底(1)顶面上的龟裂模板(3)，且该龟裂模板(3)的不规则网状龟裂缝(3a)深入至所述玻璃衬底(1)的顶面；所述步骤S1的具体操作步骤为：步骤S1‑1、将型号为CA600的指甲油与乙醇溶剂按1：2至1：4之间的比例混合均匀，作为龟裂液；步骤S1‑2、将所述玻璃衬底(1)清洗干净，并用滴涂法或刮涂法将所述龟裂液沉积在所述玻璃衬底(1)的顶面上，以形成所述有机溶胶薄膜(2)；步骤S1‑3、将所述沉积有有机溶胶薄膜(2)的玻璃衬底(1)置于常温环境下，使得所述有机溶胶薄膜(2)自然龟裂，以形成所述龟裂模板(3)；步骤S2、沉积网状金属薄膜：用真空镀膜设备在所述玻璃衬底(1)的顶面上沉积厚度低于所述龟裂模板(3)厚度的金属层，以在所述龟裂模板(3)的不规则网状龟裂缝(3a)中形成固定在所述玻璃衬底(1)顶面上的网状金属薄膜(4)；步骤S3、去除龟裂模板：去除所述玻璃衬底(1)顶面上的龟裂模板(3)，以露出所述固定在玻璃衬底(1)顶面上的网状金属薄膜(4)，并清理所述网状金属薄膜(4)的表面；步骤S4、原位选择性生长石墨烯：用等离子体增强化学气相沉积法直接在所述网状金属薄膜(4)的表面上生长非晶石墨烯，以形成包覆在所述网状金属薄膜(4)表面上的石墨烯薄膜(5)，使得所述网状金属薄膜(4)和石墨烯薄膜(5)构成复合透明电极。