[发明专利]制造金属通道元件的方法在审
| 申请号： | 201610910128.0 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN107591332A | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 陈敏璋;刘继文;郑柏贤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;陈敏璋 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造金属通道元件的方法，包含形成金属层于基材上，金属层透过原子层沉积技术而形成且具有第一厚度；形成绝缘层于金属层上；形成栅极接触层于绝缘层上；处理已形成的栅极接触层、绝缘层与金属层以移除栅极接触层、绝缘层与金属层不位于源极‑漏极区上的部分，金属层位于源极‑漏极区上的剩余部分具有第二厚度，第二厚度小于第一厚度；以及形成源极与漏极金属接触于金属层的剩余部分。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 金属 通道 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造金属通道元件的方法，其特征在于，包含：形成一金属层于一基材上，该金属层透过一原子层沉积技术而形成且具有一第一厚度；形成一绝缘层于该金属层上；形成一栅极接触层于该绝缘层上；处理已形成的该栅极接触层、该绝缘层与该金属层以移除该栅极接触层、该绝缘层与该金属层不位于一源极‑漏极区上的一部分，该金属层位于该源极‑漏极区上的一剩余部分具有一第二厚度，该第二厚度小于该第一厚度；以及形成多个源极与漏极金属接触于该金属层的该剩余部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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