[发明专利]在晶片的表面形成曲面的方法在审
| 申请号： | 201610908270.1 | 申请日： | 2016-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN107958836A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 徐元俊 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种在晶片的表面形成曲面的方法，该方法包括在晶片的表面形成掩模图形，所述掩模图形具有至少两个相邻的掩模开口，所述晶片的表面从所述掩模开口露出；对从所述掩模开口露出的所述晶片的表面进行刻蚀，以使所述晶片形成与所述掩模开口对应的槽，相邻的所述槽之间形成有所述晶片的材料形成的隔离部；对所述晶片进行氧化，以将所述隔离部完全转化为氧化物；去除由所述隔离部所转化成的氧化物。根据本申请能够在晶片表面形成曲面。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 表面 形成 曲面 方法 | ||
【主权项】：
一种在晶片的表面形成曲面的方法，其特征在于，该方法包括：在晶片的表面形成掩模图形，所述掩模图形具有至少两个相邻的掩模开口，所述晶片的表面从所述掩模开口露出；对从所述掩模开口露出的所述晶片的表面进行刻蚀，以使所述晶片形成与所述掩模开口对应的槽，相邻的所述槽之间形成有所述晶片的材料形成的隔离部；对所述晶片进行氧化，以将所述隔离部完全转化为氧化物；以及去除由所述隔离部所转化成的氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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