[发明专利]在晶片的表面形成曲面的方法

说明书

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种在晶片的表面形成曲面的方法。

背景技术

在半导体技术中，硅材料表面加工工艺的特点是平面化加工，即，在硅晶片表面的X方向和Y方向进行加工。近年来，发展出了深槽工艺，即，使用干法刻蚀或湿法刻蚀的方式在硅表面形成沟槽。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

申请内容

在现有的半导体材料表面加工工艺中，只能制造与半导体材料的表面平行或呈特定夹角的平面，即使是深槽工艺，也只是在平面工艺的基础上对与半导体材料的表面垂直的面进行开槽加工以形成平面，而无法加工出光滑曲面。

本申请提供一种在晶片的表面形成曲面的方法，能够利用平面工艺中线宽与刻蚀深度的对应关系来完成曲面加工，从而在晶片的表面形成曲面。

根据本申请实施例的一个方面，提供一种在晶片的表面形成曲面的方法，所述方法包括：

在晶片的表面形成掩模图形，所述掩模图形具有至少两个相邻的掩模开口，所述晶片的表面从所述掩模开口露出；

对从所述掩模开口露出的所述晶片的表面进行刻蚀，以使所述晶片形成与所述掩模开口对应的槽，相邻的所述槽之间形成有所述晶片的材料形成的隔离部；

对所述晶片进行氧化，以将所述隔离部完全转化为氧化物；以及

去除由所述隔离部所转化成的氧化物。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，在去除由所述隔离部所转化成的氧化物之后，至少进行一次如下的步骤：

对所述晶片的与所述槽以及隔离部对应的区域进行氧化，以形成氧化层，并去除所述氧化层。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，对不同尺寸的所述掩模开口的刻蚀时间相同。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，不同尺寸的所述掩模开口对应不同深度的所述槽。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，在所述掩模开口的尺寸为100微米以内的情况下，尺寸越大的所述掩模开口对应越深的所述槽。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，不同位置的隔离部具有相同的宽度或不同的宽度。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述掩模开口的尺寸是根据目标曲面，所述目标曲面不同位置处对应的槽的深度，以及槽的深度和掩模开口的尺寸之间的关系来确定的。

本申请的有益效果在于：利用平面工艺完成曲面加工，能够在晶片的表面形成所需要的曲面。

参照后文的说明和附图，详细公开了本申请的特定实施方式，指明了本申请的原理可以被采用的方式。应该理解，本申请的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本申请的实施方式包括许多改变、修改和等同。

针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。

应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1是本申请实施例中在晶片的表面形成曲面的方法的一个示意图；

图2是本申请实施例中在晶片的表面形成曲面的方法的一个工艺流程示意图。

具体实施方式

参照附图，通过下面的说明书，本申请的前述以及其它特征将变得明显。在说明书和附图中，具体公开了本申请的特定实施方式，其表明了其中可以采用本申请的原则的部分实施方式，应了解的是，本申请不限于所描述的实施方式，相反，本申请包括落入所附权利要求的范围内的全部修改、变型以及等同物。

实施例1

本申请实施例1提供一种在晶片的表面形成曲面的方法，用于在晶片的表面形成曲面。

图1是本申请实施例中在晶片的表面形成曲面的方法的一个示意图，如图1所示，该方法包括：