[发明专利]一种GaN基电子器件在审
| 申请号： | 201610907624.0 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN107968074A | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 陈振;周民兵;付羿 | 申请（专利权）人： | 江西省昌大光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/48;H01L23/34;H01L29/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基电子器件，包括一GaN基垂直结构芯片、一散热基板以及一封装体，其中，GaN基垂直结构芯片中包括外延结构，从下到上依次为导电衬底层、导电缓冲层、n型层、p型层及电子提供层；分设于外延结构中导电衬底层一侧和电子提供层一侧的源电极和漏电极；及与n型层连接的栅电极；GaN基垂直结构芯片安装于散热基板表面，封装体包裹GaN基垂直结构芯片和散热基板，且将GaN基垂直结构芯片中的源电极、漏电极及栅电极通过引线接出得到GaN基电子器件，从而提高电子器件的组装密度，同时制造成本低，性价比高，并且避免导线脱落器件引起的可靠性问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 电子器件 | ||
【主权项】：
一种GaN基电子器件，其特征在于，所述GaN基电子器件中包括一GaN基垂直结构芯片、一散热基板以及一封装体，其中，所述GaN基垂直结构芯片中包括：外延结构，从下到上依次为：导电衬底层、导电缓冲层、n型层、p型层及电子提供层；分设于外延结构中导电衬底层一侧和电子提供层一侧的源电极和漏电极；及与n型层连接的栅电极；所述GaN基垂直结构芯片安装于所述散热基板表面，所述封装体包裹所述GaN基垂直结构芯片和散热基板，且将GaN基垂直结构芯片中的源电极、漏电极及栅电极通过引线接出得到所述GaN基电子器件。
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