[发明专利]一种氮化镓基LED外延片及其生长方法有效
| 申请号： | 201610905654.8 | 申请日： | 2016-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN106410005B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 肖云飞;舒辉;吕蒙普;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基LED外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。包括依次层叠的蓝宝石衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、浅阱层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层，多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层，量子阱层为InGaN层，最靠近低温P型GaN层的量子垒层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层，第一子层和第四子层均为GaN层，第二子层为AlxGa1‑xN层，0.03≤x≤0.15，第三子层为MgyGa1‑yN层，0.02≤y≤0.08，其它量子垒层为N型掺杂的GaN层。本发明减少电子溢流和提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 led 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基LED外延片，所述氮化镓基LED外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、浅阱层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层，所述多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层为InGaN层，其特征在于，最靠近所述低温P型GaN层的所述量子垒层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层，所述第一子层和所述第四子层均为GaN层，所述第二子层为AlxGa1‑xN层，0.03≤x≤0.15，所述第三子层为MgyGa1‑yN层，0.02≤y≤0.08，除最靠近所述低温P型GaN层的所述量子垒层之外的所述量子垒层为N型掺杂的GaN层。
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