[发明专利]栅极结构、半导体器件以及形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201610903298.6 | 申请日： | 2016-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107017290B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;游国丰;詹前泰;方子韦;陈科维;杨怀德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种栅极结构、一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。在各个实施例中，栅极结构包括栅极堆叠件和位于栅极堆叠件的侧壁上面的掺杂的间隔件。栅极堆叠件包含掺杂的功函数金属(WFM)堆叠件和位于掺杂的WFM堆叠件上面的金属栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 半导体器件 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种栅极结构，包括：栅极堆叠件，包括：掺杂的功函数金属(WFM)堆叠件；和金属栅电极，位于所述掺杂的功函数金属堆叠件上面；以及掺杂的间隔件，位于所述栅极堆叠件的侧壁上面。
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