[发明专利]MTJ器件的制作方法、MTJ器件及STT-MRAM有效
| 申请号： | 201610898491.5 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN107958950B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 简红;刘鲁萍;蒋信 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/00;H01L43/12;H01L21/3065;G11C11/02;G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 赵囡囡;吴贵明 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种MTJ器件的制作方法、MTJ器件及STT‑MRAM。该MTJ器件的制作方法包括：依次设置钉扎层、绝缘势垒层与自由层的第一过程，或者依次设置自由层、绝缘势垒层与钉扎层的第二过程，钉扎层包括至少一个第一结构层，当制作方法包括第一过程时，制作方法还包括：在设置钉扎层的过程中采用等离子体法对至少一个第一结构层的裸露表面进行刻蚀；当制作方法包括第二过程时，制作方法还包括：在设置钉扎层之前，采用等离子体法对设置绝缘势垒层的裸露表面进行刻蚀，和/或，在设置钉扎层的过程中采用等离子体法对至少一个第一结构层的裸露表面进行刻蚀。该制作方法增强了MTJ器件结构的热稳定性，使得该器件具有高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mtj 器件 制作方法 stt mram | ||
【主权项】：
一种MTJ器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：依次设置钉扎层、绝缘势垒层与自由层的第一过程，或者依次设置自由层、绝缘势垒层与钉扎层的第二过程，所述钉扎层包括至少一个第一结构层，当所述制作方法包括所述第一过程时，所述制作方法还包括：在设置所述钉扎层的过程中采用等离子体法对至少一个所述第一结构层的裸露表面进行刻蚀；当所述制作方法包括所述第二过程时，所述制作方法还包括：在设置所述钉扎层之前，采用等离子体法对设置所述绝缘势垒层的裸露表面进行刻蚀，和/或，在设置所述钉扎层的过程中采用等离子体法对至少一个所述第一结构层的裸露表面进行刻蚀。
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