[发明专利]发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610890543.4 | 申请日： | 2016-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN107919412B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 张杰;彭遥 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/04 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了发光二极管及其制备方法。该发光二级管包括：衬底；第一类型半导体层，所述第一类型半导体层的侧壁自下而上依次包括电极台阶以及保护层台阶，所述电极台阶上设置有第一类型电极；多量子阱发光层；第二类型半导体层，所述第二类型半导体层上设置有第二类型电极；保护层，所述保护层覆盖所述第二类型半导体层上表面除所述第二类型电极以外区域，并且所述保护层覆盖所述第二类型半导体层的侧壁、所述多量子阱发光层的侧壁以及所述保护层台阶的侧壁。具有上述结构的发光二极管可缓解器件侧壁处保护层易脱落破损的问题，从而可以降低由于侧壁处保护层失效而造成的器件漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底；第一类型半导体层，所述第一类型半导体层设置在所述衬底上，所述第一类型半导体层的侧壁自下而上依次包括电极台阶以及保护层台阶，所述电极台阶上设置有第一类型电极；多量子阱发光层，所述多量子阱发光层设置在所述第一类型半导体层的上表面；第二类型半导体层，所述第二类型半导体层设置在所述多量子阱发光层上，所述第二类型半导体层上设置有第二类型电极；保护层，所述保护层覆盖所述第二类型半导体层上表面除所述第二类型电极以外区域，并且所述保护层覆盖所述第二类型半导体层的侧壁、所述多量子阱发光层的侧壁以及所述保护层台阶的侧壁，所述多量子阱发光层和所述第二类型半导体层高度之和，与所述保护层台阶侧壁的高度的比值为3～1，且所述保护层台阶的宽度与所述保护层台阶的高度的比值为10～30。
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