[发明专利]存储器元件及其应用有效
| 申请号： | 201610886837.X | 申请日： | 2016-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN107919156B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 吴承润;谢志昌;徐子轩;吕函庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;H01L27/11556;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器元件的两侧步进写入操作，此存储器元件包括具有多个存储单元C1(i)的第一叠层结构和多个存储单元C2(i)存储器的第二叠层结构。i代表存储单元的阶层。步进写入操作包括对第一叠层结构和第二叠层结构的存储单元施加初步写入阶段S1、中间写入阶段S2以及最终写入阶段S3。根据写入顺序，使最终写入阶段S3可在第一叠层结构和第二叠层结构目标阶层(i)中的目标存储单元上实施；且使位于目标阶层(i)的邻接阶层(i+1和i‑1)上的邻接存储单元已经先实施过中间写入阶段S2。其中，中间写入阶段S2实施于该第一叠层结构和该第二叠层结构中目标阶层(i)的存储单元，且邻接阶层(i+1和i‑1)已经先实施过初步写入阶段S1于这些邻接存储单元上。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种存储器元件，其特征在于，包括：一第一叠层结构包括多个存储单元C1(i)，一第二叠层结构包括多个存储单元C2(i)，其中i是代表一特定存储单元位于该第一叠层结构或该第二叠层结构的一阶层，i等于1至N；其中一第N阶层是指该第一叠层结构或该第二叠层结构的一最底层及一最顶层其中之一；一控制器，构建来对该些存储单元C1(i)和C2(i)进行每一存储单元多位数据(multiple bits of data per memory cell)的一写入操作，该控制器包括：一第一逻辑，用来对该第一叠层结构和该第二叠层结构的该些存储单元C1(i)和C2(i)实施一初步写入阶段S1、一中间写入阶段S2以及一最终写入阶段S3；以及一第二逻辑，用来根据一写入顺序(programming order)在该些存储单元C1(i)和C2(i)中选择多个目标存储单元，使该最终写入阶段S3可在该第一叠层结构和该第二叠层结构的每一目标阶层(i)中的该些目标存储单元上实施；且使该第一叠层结构和第二叠层结构中位于该目标阶层(i)的邻接阶层(i+1和i‑1)上的多个邻接存储单元已经先实施过该中间写入阶段S2。
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