[发明专利]集成电路、图像传感器的集成电路及其制造方法在审
申请号: | 201610884136.2 | 申请日: | 2016-10-10 |
公开(公告)号: | CN106876420A | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 许文义;洪丰基;杨敦年;周耕宇 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种具有自动聚焦功能的图像传感器及相关方法。在一些实施例中,该集成电路包括具有在半导体衬底内设置的多个光电二极管的光电二极管阵列、以及在光电二极管阵列上面且具有垂直地延伸穿过复合栅格的多个第一开口和多个第二开口的复合栅格。集成电路还具有图像感测像素阵列,该图像感测像素阵列具有在多个第一开口中设置的多个滤色器。集成电路还具有相位检测像素阵列,该相位检测像素阵列包括比多个滤色器小并且具有低折射率(低n)材料的多个相位检测组件,低折射率材料的折射率(n)小于多个滤色器的折射率,其中,相位检测组件设置在多个第二开口中。本发明的实施例还提供了集成电路、图像传感器的集成电路及其制造方法。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种集成电路,包括:光电二极管阵列,包括在半导体衬底内设置的多个光电二极管;复合栅格,位于所述光电二极管阵列上面并且具有垂直延伸穿过所述复合栅格的多个第一开口和多个第二开口;图像感测像素阵列,包括在所述多个第一开口中设置的多个滤色器;以及相位检测像素阵列,包括比所述多个滤色器小并且具有低折射率(低n)材料的多个相位检测组件,所述低折射率材料的折射率(n)小于所述多个滤色器的折射率,其中,所述多个相位检测组件中的相位检测组件设置在所述多个第二开口中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的