[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有栅极结构，在所述栅极结构的侧壁上依次形成有间隙壁和虚拟间隙壁；以所述虚拟间隙壁为掩膜蚀刻所述虚拟间隙壁两侧的半导体衬底，以在半导体衬底中形成凹槽；去除所述虚拟间隙壁，以露出所述间隙壁和所述半导体衬底；在所述凹槽中以及所述凹槽和所述间隙壁之间露出的所述半导体衬底上生长半导体材料层，以形成抬升源漏。通过所述方法使得所述抬升源漏到沟道的距离增加，并且可以通过所述虚拟间隙壁的厚度进行调节，而且所述间隙壁的厚度得以保持，同时沟道的电子也没有被牺牲掉，通过所述方法进一步提高了所述半导体器件的性能和良率。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，在所述栅极结构的侧壁上依次形成有间隙壁和虚拟间隙壁；以所述虚拟间隙壁为掩膜蚀刻所述虚拟间隙壁两侧的所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成凹槽；去除所述虚拟间隙壁，以露出所述间隙壁和所述半导体衬底；在所述凹槽中以及所述凹槽和所述间隙壁之间露出的所述半导体衬底上生长半导体材料层，以形成抬升源漏。