[发明专利]一种量子点结构的制作方法有效
| 申请号： | 201610876764.6 | 申请日： | 2016-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN107919266B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 张子旸;黄荣;黄源清 | 申请（专利权）人： | 青岛翼晨镭硕科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 266300 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种量子点结构的制作方法，包括：在衬底上制备量子点膜层；在所述量子点膜层上制备第一保护膜；在所述第一保护膜上制备图形化阵列；在所述第一保护膜及所述图形化阵列上制备第二保护膜，获得中间体；对所述中间体进行退火处理，在所述衬底上获得量子点结构。根据本发明的量子点结构的制作方法，以图形化阵列作为模板，利用模板选择区域退火工艺来制作有序的量子点结构，并采用后续热处理工艺，一方面避免对衬底的表面造成损伤，提高量子点结构的性能；另一方面，可有效控制量子点密度及位置，使所获得的量子点结构应用于量子点器件时，性能更为优越。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种量子点结构的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上制备量子点膜层；在所述量子点膜层上制备第一保护膜；在所述第一保护膜上制备图形化阵列；在所述第一保护膜及所述图形化阵列上制备第二保护膜，获得中间体；对所述中间体进行退火处理，在所述衬底上获得量子点结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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