[发明专利]用于原子层沉积的动态前体投配

摘要

本发明涉及用于原子层沉积的动态前体投配。公开了用于控制在半导体加工工具内的前体流的方法和装置。一种方法可以包括：使气体流动通过气体管线；在投配步骤之前，打开一个或多个安瓿阀，以使前体流开始从所述安瓿通过所述气体管线流向处理室；关闭所述一个或多个安瓿阀，以使所述前体停止从所述安瓿流出；在所述投配步骤开始时，打开处理室阀，以使所述前体流能进入所述处理室；以及在所述投配步骤结束时，关闭所述处理室阀，以使所述前体流停止进入所述处理室。控制器可以包括至少一个存储器和至少一个处理器，并且至少一个存储器可以存储用于控制至少一个处理器的指令以控制在半导体加工工具内的前体流。

主权项

一种用于控制在半导体加工工具内的前体流的方法，该方法包括：(a)使气体流动通过气体管线；(b)在投配步骤之前，打开安瓿的一个或多个阀，以使前体流开始从所述安瓿通过所述气体管线流向处理室；(c)关闭所述安瓿的一个或多个阀，以使所述前体停止从所述安瓿流出；(d)在所述投配步骤开始时，打开处理室阀，以使所述前体流能进入所述处理室；以及(e)在所述投配步骤结束时，关闭所述处理室阀，以使所述前体流停止进入所述处理室。