[发明专利]用于原子层沉积的动态前体投配

权利要求书

1.一种用于控制在半导体加工工具内的前体流的方法，该方法包括：

（a）使气体流动通过气体管线；

（b）在投配步骤之前，打开安瓿的一个或多个阀，以使前体流开始从所述安瓿通过所述气体管线流向处理室，其中打开安瓿的一个或多个阀发生在所述投配步骤前基本上等于管线填充时间的时间量时，其中，所述管线填充时间为前体流从所述安瓿流到所述处理室所需要的时间；

（c）关闭所述安瓿的一个或多个阀，以使所述前体流停止从所述安瓿流出；

（d）在所述投配步骤开始时，打开处理室阀，以使所述前体流能进入所述处理室；以及

（e）在所述投配步骤结束时，关闭所述处理室阀，以使所述前体流停止进入所述处理室。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在（c）中关闭所述安瓿的一个或多个阀发生在（e）中的所述关闭所述处理室阀前基本上等于管线填充时间的时间量时，其中，所述管线填充时间为前体流从所述安瓿流到所述处理室所需要的时间。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在（d）中打开所述处理室阀发生在（b）中打开所述安瓿的所述阀后基本上等于管线填充时间的时间量时，其中，所述管线填充时间为前体流从所述安瓿流到所述处理室所需要的时间。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在（e）中关闭所述处理室阀发生在（c）中关闭所述安瓿的所述一个或多个阀后基本上等于管线填充时间的时间量时，其中，所述管线填充时间为前体流从所述安瓿流到所述处理室所需要的时间。

5.根据权利要求1、3或4中的任一项所述的方法，其中在（c）中关闭所述安瓿的所述一个或多个阀发生在（b）中打开所述安瓿的阀后基本上等于所述投配步骤的吸附时间的时间量时。

6.根据权利要求1-4中的任一项所述的方法，其中在（e）中关闭所述处理室阀发生在（d）中打开所述处理室阀后基本上等于所述投配步骤的吸附时间的时间量时。

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

在（b）中打开安瓿的一个或多个阀发生在所述投配步骤开始前基本上等于管线填充时间的时间量时，其中，所述管线填充时间为前体流从所述安瓿流到所述处理室所需要的时间；

在（c）中关闭所述安瓿的所述一个或多个阀发生在（b）中打开所述安瓿的所述阀后基本上等于所述投配步骤的吸附时间的时间量时；

在（d）中打开处理室阀发生在（b）中打开所述安瓿的所述阀后基本上等于所述管线填充时间的时间量时；以及

在（e）中关闭所述处理室阀发生在（d）中打开所述处理室阀后基本上等于所述吸附时间的时间量时。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述吸附时间选自由以下构成的组：小于所述管线填充时间的时间、大于所述管线填充时间的时间、以及等于所述管线填充时间的时间。

9.根据权利要求1-4中的任一项所述的方法，其中所述安瓿的所述一个或多个阀在所述投配步骤之前打开，以使所述前体流在所述投配步骤开始时到达所述处理室。

10.根据权利要求1-4中的任一项所述的方法，其中所述安瓿的所述一个或多个阀在所述投配步骤之前打开，以使所述前体流在所述投配步骤开始时至少部分地填充所述气体管线。

11.根据权利要求1-4中的任一项所述的方法，其中所述安瓿的所述一个或多个阀在所述投配步骤结束之前关闭，以使在所述投配步骤结束时基本上没有前体保留在所述气体管线内。

12.根据权利要求1-4中的任一项所述的方法，其中所述安瓿的所述一个或多个阀在一定量的前体处于所述气体管线内之后关闭，以实现所期望的在晶片上的吸附。

13.根据权利要求1-4中任意一项所述的方法，其中所述处理室阀在所期望的在晶片上的吸附已经发生后关闭。