[发明专利]一种高速单光子雪崩二极管淬灭复位电路

摘要

本发明公开了一种高速单光子雪崩二极管淬灭复位电路。现有单光子雪崩光电二极管淬灭恢复电路不能快速地完成对雪崩光电二极管的淬灭恢复功能。本发明首先利用检测器对雪崩光电二极管产生的信号进行检测，当检测器的输出信号为高电平，第二MOS管内阻升高两端电压增加，第七MOS管导通，第十MOS管截止，使得雪崩光电二极管两端的反向偏置电压快速地降低，高速地完成电路的淬灭功能；当检测器的输出信号为低电平时，第二MOS管内阻降低两端电压减少，第七MOS管截止，第十MOS管导通，使得雪崩光电二极管两端的反向偏置电压快速地增加，高速地完成电路的恢复功能，以此来完成本发明的功效。

主权项

1.一种高速单光子雪崩二极管淬灭复位电路，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10、第四电容C4、第二电阻R2、第三电阻R3、与非门、第一电源和脉冲，其特征在于：所述第十MOS管M10的漏极接第二MOS管M2的漏极、第四MOS管M4的漏极、第五MOS管M5的漏极、第九MOS管M9的漏极并接第一电源的正极，第一电源的负极接地；第十MOS管M10的源极接第二MOS管M2的源极和第一MOS管M1的漏极；第一MOS管M1的栅极接第一MOS管M1的源极、第三MOS管M3的栅极、第七MOS管M7的漏极以及第四MOS管M4的栅极；第十MOS管M10的栅极接第七MOS管M7的栅极、第八MOS管M8的漏极及第九MOS管M9的源极；第二MOS管M2的栅极接第三MOS管M3的漏极、第四MOS管M4的源极、第五MOS管M5的栅极、第六MOS管M6的栅极以及第四电容C4的一端；第三MOS管M3的漏极输出单光子探测信号；第三MOS管M3的源极接第六MOS管M6的源极、第七MOS管M7的源极以及第八MOS管M8的源极并接地；第四电容C4的另一端接第二电阻R2和第三电阻R3的一端；第二电阻R2的另一端接第五MOS管M5的源极和第六MOS管M6的漏极；第三电阻R3的另一端接第八MOS管M8和第九MOS管M9的栅极；所述的与非门由第十二MOS管M12、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14、第十五MOS管M15、第十六MOS管M16和第十七MOS管M17组成；第十六MOS管M16的漏极接第十七MOS管M17的源极并输出单光子信号；第十六MOS管M16的栅极接第十七MOS管M17的栅极、第十二MOS管M12的源极、第十三MOS管M13的源极以及第十四MOS管M14的漏极；第十二MOS管M12的漏极接第十三MOS管M13的漏极和第十七MOS管M17的漏极并接第一电源的正极；第十二MOS管M12的栅极接第十五MOS管M15的栅极和脉冲的正极；第十四MOS管M14的源极接第十五MOS管M15的漏极；脉冲的负极接第十五MOS管M15的源极和第十六MOS管M16的源极并接地；第十三MOS管M13的栅极接第十四MOS管M14的栅极；第十四MOS管M14的栅极接第九MOS管M9的源极输出的采样保持信号。