[发明专利]阵列基板制造方法、阵列基板、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201610848316.5 | 申请日: | 2016-09-23 |
公开(公告)号: | CN106298810B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 许传志;谢正芳;李雄平;童晓阳 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/423;H01L21/77 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种阵列基板制造方法、阵列基板、显示面板及显示装置。所述方法包括:在衬底基板一侧形成栅极层、位于栅极层上的栅极绝缘层以及位于栅极绝缘层上的半导体层,栅极层和半导体层的图形形状相同;在半导体层上形成刻蚀阻挡层;图案化刻蚀阻挡层形成第一通孔、第二通孔和第三通孔;在刻蚀阻挡层上形成源极层和漏极层,源极层通过第一通孔与半导体层电连接,漏极层通过第二通孔与半导体层电连接;刻蚀第三通孔对应位置处的半导体层,形成有源层,栅极层包括第三通孔对应位置处的第一部分和除第一部分之外的第二部分,栅极层的第二部分和有源层的图形形状相同。本发明实施例降低了阵列基板制作的工艺成本和工艺复杂度。 | ||
搜索关键词: | 阵列 制造 方法 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板制造方法,其特征在于,包括:在衬底基板一侧形成栅极层、位于所述栅极层上的栅极绝缘层以及位于所述栅极绝缘层上的半导体层,其中,所述栅极层和所述半导体层的图形形状相同;在所述半导体层上形成刻蚀阻挡层;图案化所述刻蚀阻挡层形成第一通孔、第二通孔和第三通孔;在所述刻蚀阻挡层上形成源极层和漏极层,其中,所述源极层通过所述第一通孔与所述半导体层电连接,所述漏极层通过所述第二通孔与所述半导体层电连接;刻蚀所述第三通孔对应位置处的所述半导体层,形成有源层,其中,所述栅极层包括所述第三通孔对应位置处的第一部分和除所述第一部分之外的第二部分,所述栅极层的第二部分和所述有源层的图形形状相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的