[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置在审
| 申请号： | 201610843992.3 | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN107863292A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括在所述半导体衬底的表面上形成第一浮栅材料层；在所述半导体衬底中形成若干浅沟槽隔离结构以及由所述浅沟槽隔离结构隔离的第一浮栅，其中，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述第一浮栅的顶面；对露出的所述浅沟槽隔离结构进行回蚀刻，以减小露出的浅沟槽隔离结构的宽度；形成第二浮栅，以覆盖第一浮栅并填充浅沟槽隔离结构之间的间隙，且第二浮栅的顶面与浅沟槽隔离结构的顶面齐平；去除位于相邻第二浮栅之间的浅沟槽隔离结构的部分，从而形成包括第一浮栅和第二浮栅的T形浮栅。本发明的方法，保持了较小的有源区尺寸，并仍然能够满足器件对于耦合比的高要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上形成第一浮栅材料层；在所述半导体衬底中形成若干浅沟槽隔离结构，并形成由所述浅沟槽隔离结构隔离的第一浮栅，其中，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述第一浮栅的顶面；对露出的所述浅沟槽隔离结构进行回蚀刻，以减小露出的所述浅沟槽隔离结构的宽度；形成第二浮栅，以覆盖所述第一浮栅并填充所述浅沟槽隔离结构之间的间隙，且所述第二浮栅的顶面与所述浅沟槽隔离结构的顶面齐平；去除位于相邻所述第二浮栅之间的所述浅沟槽隔离结构的部分，从而形成T形浮栅，所述T形浮栅包括所述第一浮栅和所述第二浮栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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