[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610840197.9 | 申请日： | 2016-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107845681B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 姚陆军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极，在所述栅极两侧的半导体衬底中形成源极和漏极，并在所述源极和漏极上形成硅覆盖层，所述源极和漏极采用硅锗材料；在所述硅覆盖层上形成含镍金属层，并执行第一次热处理工艺以形成初始镍硅化物，并消耗部分所述硅覆盖层；在所述初始镍硅化物上形成硅反应层，并执行第二次热处理工艺，以形成凸升的镍硅化物。该制作方法可以改善若硅覆盖层过厚引起的生长颗粒缺陷问题或若硅覆盖层过薄引起的镍硅化物与硅锗的接触问题，而且这种凸升的镍硅化物结构可以改善PN结的漏电问题。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
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