[发明专利]一种厚膜SOI-LIGBT器件及其抗闩锁能力的提高方法有效
| 申请号： | 201610835934.6 | 申请日： | 2016-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN106252400B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;李秀军;叶然;魏家行;杨翰琪;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种厚膜SOI‑LIGBT器件及其抗闩锁能力的提高方法，包括P型衬底，在P型衬底上设有一层埋氧化层，在埋氧化层上方有N型漂移区，N型漂移区的内部设有P型体区和N型缓冲区，在P型体区表面设有P型阴极接触区和n型阴极接触区，接触区与阴极接触金属层相连，在N型缓冲区的表面设有P型阳极接触区，接触区与阳极接触金属层相连，N型漂移区的表面有场氧化层和导电多晶硅栅极，在阴极接触区、阳极接触区、场氧化层和导电多晶硅栅极的表面设有钝化层，其特征在于，器件阴极外侧设有隔离槽，隔离槽中导电多晶硅与阴极接触区以及阴极金属层短接，此方法增大隔离槽中导电多晶硅与N型漂移区之间电势差，减少流经P型体区中横向沟道的空穴电流，实现了抗闩锁能力的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi ligbt 器件 及其 抗闩锁 能力 提高 方法 | ||
【主权项】：
1.一种厚膜SOI‑LIGBT器件，包括P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有一层埋氧化层(2)，在埋氧化层(2)上方有N型漂移区(3)，N型漂移区(3)的内部设有P型体区(4)和N型缓冲区(14)，在P型体区(4)表面设有P型阴极接触区(6)和n型阴极接触区(7)，P型阴极接触区(6)和n型阴极接触区(7)与阴极接触金属层(9)相连，在N型缓冲区(14)的表面设有P型阳极接触区(13)，P型阳极接触区(13)与阳极接触金属层(12)相连，N型漂移区(3)的表面有场氧化层(11)和导电多晶硅栅极(10)，场氧化层(11)介于n型阴极接触区(7)和P型阳极接触区(13)之间，导电多晶硅栅极(10)由n型阴极接触区(7)边界开始延伸至场氧化层(11)上表面，在P型阴极接触区(6)、n型阴极接触区(7)、P型阳极接触区(13)、场氧化层(11)和导电多晶硅栅极(10)的表面设有钝化层(8)，器件阴极外侧设有隔离槽，所述隔离槽由隔离氧化层(5)和被所述隔离氧化层(5)包裹的导电多晶硅(15)组成，其特征在于，被所述隔离氧化层(5)包裹的导电多晶硅(15)与P型阴极接触区(6)、n型阴极接触区(7)以及阴极金属层(9)短接。
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