[发明专利]提高光效的LED外延生长方法

摘要

本申请公开了一种提高光效的LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温缓冲层GaN、生长非掺杂u‑GaN层、生长掺杂Si的n‑GaN层、生长发光层、生长p型AlGaN层、生长高温p型GaN层、生长p型GaN接触层、降温冷却。生长高温p型GaN层的过程中，把传统的P型GaN层，设计为Mg浓度高低生长的超晶格结构，目的是通过先提高Mg浓度，提供较多空穴，又通过降低Mg浓度，提高材料结晶质量，提高空穴迁移率，通过交替超晶格生长，从而提高量子阱区域的空穴注入水平，降低LED的工作电压，进而提高LED的发光效率。

主权项

一种提高光效的LED外延生长方法，其特征在于，依次包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温缓冲层GaN、生长非掺杂u‑GaN层、生长掺杂Si的n‑GaN层、生长发光层、生长p型AlGaN层、生长高温p型GaN层、生长p型GaN接触层、降温冷却，所述生长高温p型GaN层，具体为：将TMGa和CP2Mg作为MO源，保持反应腔压力为100Torr‑500Torr，生长温度为850℃‑1000℃，先通入流量为0sccm‑200sccm的CP2Mg，生长厚度为2nm‑10nm的第一GaN:Mg层；再通入流量为200sccm‑1000sccm的CP2Mg，生长厚度为2nm‑10nm的第二GaN:Mg层；反复生长所述第一GaN:Mg层和所述第二GaN:Mg层，生长周期为2‑50，所述第一GaN:Mg层和所述第二GaN:Mg层的总厚度为40nm‑200nm，其中，Mg掺杂浓度为1018cm‑3‑1020cm‑3。