[发明专利]等离子体增强化学气相沉积装置在审
| 申请号： | 201610834267.X | 申请日： | 2016-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN106245005A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 刘凤举 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/509 | 分类号： | C23C16/509 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种等离子体增强化学气相沉积装置，包括：反应腔室，所述反应腔室的侧壁上设开口阀；上电极和下电极，相对地设置在所述反应腔室的内部；以及射频馈入装置，电连接所述上电极，用于在所述反应腔室的内部产生等离子体增强化学气相沉积反应，以在置于所述下电极上的基板上形成膜层，所述射频馈入装置的输入点位于所述上电极的中心与所述开口阀之间。本发明所述等离子体增强化学气相沉积装置的产品良率高。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 增强 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，包括：反应腔室，所述反应腔室的侧壁上设开口阀；上电极和下电极，相对地设置在所述反应腔室的内部；以及射频馈入装置，电连接所述上电极，用于在所述反应腔室的内部产生等离子体增强化学气相沉积反应，以在置于所述下电极上的基板上形成膜层，所述射频馈入装置的输入点位于所述上电极的中心与所述开口阀之间。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
