[发明专利]增强的沟道应变以减小NMOSFET器件的接触电阻

摘要

半导体器件包括衬底、鳍结构和在衬底上形成并且邻近于鳍结构的隔离层。该半导体器件包括在鳍结构和隔离层的至少部分上形成的栅极结构。该半导体器件包括外延层，该外延层包括对鳍结构的沟道区域提供应力的应变材料。该外延层具有第一区域和第二区域，其中，第一区域具有第一掺杂剂的第一掺杂浓度并且第二区域具有第二掺杂剂的第二掺杂浓度。第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度。使用磷二聚体的离子注入掺杂外延层。本发明的实施例还涉及增强的沟道应变以减小NMOS FET器件的接触电阻。

主权项

一种制造鳍式场效应晶体管(Fin FET)器件的方法，所述方法包括：提供具有第一鳍结构和第二鳍结构的衬底；在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层形成为邻近于所述第一鳍结构和所述第二鳍结构；在所述第一鳍结构和所述隔离层的至少部分上形成第一栅极结构；在所述第二鳍结构和所述隔离层的至少部分上形成第二栅极结构；通过外延生长操作形成第一应变材料，所述第一应变材料向所述第一鳍结构的沟道区域提供应力；通过外延生长操作形成第二应变材料，所述第二应变材料向所述第二鳍结构的沟道区域提供应力；对所述第一应变材料的至少第一区域注入磷二聚体掺杂剂，所述第一区域具有所述磷二聚体掺杂剂的第一掺杂浓度，所述第一掺杂浓度大于所述第一应变材料的第二区域中的磷掺杂剂的第二掺杂浓度；以及对至少所述第一鳍结构和所述第一应变材料施加热退火操作，通过至少所述热退火操作，所述第一鳍结构的所述沟道区域比所述第二鳍结构的所述沟道区域具有更大的沟道迁移率。