[发明专利]使用原位厚度测量将材料从衬底移除的方法在审
申请号: | 201610823133.8 | 申请日: | 2016-09-14 |
公开(公告)号: | CN106548924A | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | M·J·塞登;F·J.·卡尼 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/66 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 陈华成 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及使用原位厚度测量将材料从衬底移除的方法,提供了一种用于将材料从衬底移除的方法,所述方法包括提供具有第一主表面和与其相对的第二主表面的所述衬底。掩模层沿着所述第一主表面和所述第二主表面之一设置并且具有多个开口。将所述衬底放置在蚀刻设备内并使用所述蚀刻设备将材料通过开口从所述衬底移除。使用厚度换能器在所述蚀刻设备内测量所述衬底的厚度。将所述测量的厚度与预定厚度进行比较,并且响应于所述测量的厚度与所述预定厚度相对应而终止所述材料移除步骤。在一个实施方案中,所述方法用于在半导体管芯中更准确地形成凹陷区域,所述凹陷区域可用于例如层叠式器件配置。 | ||
搜索关键词: | 使用 原位 厚度 测量 材料 衬底 方法 | ||
【主权项】:
一种将材料从衬底移除的方法,所述方法包括:提供具有第一主表面和与其相对的第二主表面的所述衬底,并且沿着所述第一主表面和所述第二主表面之一形成掩模层,所述掩模层具有多个开口;将所述衬底放置在具有蚀刻室的蚀刻设备内;使用所述蚀刻设备通过所述多个开口将材料从所述衬底移除;测量所述蚀刻设备内的所述衬底的厚度以提供测量的厚度;比较所述测量的厚度与预定的目标厚度;以及响应于所述测量的厚度与所述预定目标厚度相对应终止所述移除步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造