[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，通过减小薄膜晶体管制作过程中所采用的掩模版个数，从而降低薄膜晶体管的制作成本。所述阵列基板的制作方法，包括：通过一次构图工艺在衬底基板上形成层叠设置的栅极、栅极绝缘层和有源层的图案；通过一次构图工艺在所述有源层的图案上形成包括接触孔的层间介质层的图案，所述接触孔暴露出所述层间介质层下方的所述有源层，并对所述有源层部分区域进行掺杂；通过一次构图工艺在所述层间介质层的图案上形成源漏极的图案；所述源漏极通过所述接触孔与所述有源层的掺杂区域连接。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该方法包括：通过一次构图工艺在衬底基板上形成层叠设置的栅极、栅极绝缘层和有源层的图案；在所述有源层的图案上形成层间介质层膜层；形成覆盖所述层间介质层膜层的第二光刻胶层；对所述第二光刻胶层进行曝光、显影，形成第二光刻胶完全保留区域和第二光刻胶完全去除区域；刻蚀第二光刻胶完全去除区域所对应的层间介质层，形成接触孔，所述接触孔暴露出所述层间介质层下方的所述有源层；采用离子注入方法，对有源层与所述接触孔对应的区域进行重掺杂，以形成用于与源漏极电性相连的欧姆接触区域；对所述第二光刻胶完全保留区域的第二光刻胶进行灰化，使得所述层间介质层中位于所述欧姆接触区域周围的部分区域露出，以灰化后的第二光刻胶为掩模版对所述有源层中与所述层间介质层露出区域所对应的区域以及与所述接触孔对应的区域进行轻掺杂；通过一次构图工艺在所述层间介质层的图案上形成所述源漏极的图案，所述源漏极通过所述接触孔与所述有源层的掺杂区域连接。