[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 201610809546.0 | 申请日: | 2016-09-08 |
公开(公告)号: | CN106531744B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 朴世准;尹壮根;黄盛珉;文安植;夏志良 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11582 | 分类号: | H01L27/11582 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 翟然 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体器件,包括:交替并重复地堆叠在衬底上的多个绝缘图案和多个栅极;在基本垂直于衬底上表面的第一方向上延伸穿过栅极的沟道图案;在沟道图案和衬底之间的半导体图案;以及在沟道图案和半导体图案之间的导电图案。导电图案将沟道图案电连接到半导体图案。导电图案接触沟道图案的底部边缘和半导体图案的上表面。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:衬底;在所述衬底上交替并重复堆叠的多个绝缘图案和多个栅极;在垂直于所述衬底的上表面的第一方向上延伸穿过所述栅极的沟道图案;在所述沟道图案和所述衬底之间的半导体图案;以及在所述沟道图案和所述半导体图案之间的导电图案,所述导电图案将所述沟道图案电连接到所述半导体图案,所述导电图案接触所述沟道图案的底部边缘和所述半导体图案的上表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的