[发明专利]一种在掺杂的多晶硅层上制备硅纳米线的方法及结构

摘要

本发明提供一种在掺杂的多晶硅层上制备硅纳米线的方法及结构，所述制备方法包括S1提供一基板；S2在基板表面制备多晶硅层，对多晶硅层进行掺杂；S3在掺杂的多晶硅层表面制备顶绝缘层；S4在顶绝缘层表面制备铜薄膜层；S5在铜薄膜层表面形成光刻胶图形并行图形化处理，去除光刻胶图形，得到铜薄膜图形；S6进行退火处理，铜薄膜图形收缩成纳米尺寸的铜图形，基于铜图形与顶绝缘层反应使掺杂的多晶硅层中硅原子及掺杂离子穿过顶绝缘层形成带有掺杂离子的硅纳米线。通过本发明提供的在掺杂的多晶硅层上制备硅纳米线的方法及结构，解决了现有技术制备硅纳米线时工艺流程复杂，工艺价格昂贵，生长的硅纳米线尺度较大的问题。

主权项

一种在掺杂的多晶硅层上制备硅纳米线的方法，其特征在于，所述制备方法包括：S1：提供一基板；S2：在所述基板表面制备多晶硅层，并对所述多晶硅层进行掺杂；S3：在掺杂的多晶硅层表面制备顶绝缘层；S4：在所述顶绝缘层表面制备铜薄膜层；S5：在所述铜薄膜层表面形成光刻胶图形，对所述铜薄膜层进行图形化处理，然后去除光刻胶图形，得到图形化后的铜薄膜图形；S6：进行退火处理，所述铜薄膜图形收缩成纳米尺寸的铜图形，并基于所述铜图形与顶绝缘层反应使得掺杂的多晶硅层中硅原子及掺杂离子穿过所述顶绝缘层生长形成带有掺杂离子的硅纳米线。