[发明专利]一种双向超低电容瞬态电压抑制器及其制作方法有效
| 申请号： | 201610798002.9 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106169508B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 周源;淮永进;徐远 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L27/082 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 付生辉;张雪梅 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种双向超低电容TVS及其制作方法，该TVS包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的第一外延层；第一导电类型的第一埋层，该第一埋层自第一外延层表面延伸至其内，第一埋层所环绕的第一外延层的区域为隔离岛；在隔离岛内形成的第一导电类型的第三埋层，其延伸进入第一外延层；形成第一导电类型的第三外延层；在隔离岛内形成的第二导电类型的隔离，其从第三外延层表面延伸进入第一外延层；第一导电类型的第一掺杂区，形成在第三埋层上方的第三外延层中；第一导电类型的第二掺杂区，包括与隔离接触的第二掺杂区和由隔离所环绕的区域内的第二掺杂区；第二导电类型的第三掺杂区，形成在第一掺杂区环绕的第三外延层中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 电容 瞬态 电压 抑制器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种双向超低电容瞬态电压抑制器(TVS)，其特征在于，包括：第一导电类型的半导体衬底(2)；第二导电类型的第一外延层(3)，形成在该衬底上；第一导电类型的第一埋层(6)，该第一埋层自第一外延层表面延伸至其内，第一埋层所环绕的第一外延层的区域为隔离岛；在隔离岛内形成的第一导电类型的第三埋层(7)，其延伸进入第一外延层；形成第一导电类型的第三外延层(5)；在隔离岛内形成的第二导电类型的隔离(8)，其从第三外延层表面延伸进入第一外延层；第一导电类型的第一掺杂区(10)，形成在第三埋层上方的第三外延层中；第一导电类型的第二掺杂区(9)，包括与隔离接触的第二掺杂区和由隔离所环绕的区域内的第二掺杂区；第二导电类型的第三掺杂区(11)，形成在第一掺杂区(10)环绕的第三外延层中；其中相互接触的隔离和第二掺杂区分别作为第一TVS管的阳极和阴极，第一外延层和衬底分别作为第二TVS管的阳极和阴极，第三掺杂区和第一掺杂区分别作为上整流二极管的阳极和阴极，由隔离所环绕的区域内的第二掺杂区作为下整流二极管的阴极，下整流二极管与第一、第二TVS管共用阳极；并且其中第一导电类型与第二导电类型相反。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京燕东微电子有限公司，未经北京燕东微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610798002.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
