[发明专利]具有内场板结构与P型栅结合的耐压漂移区的半导体器件在审
| 申请号： | 201610796375.2 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106409911A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 左义忠;张海宇;邢文超;于博伟 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/40 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 132013*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 具有内场板结构与P型栅相结合的耐压漂移区的半导体器件涉及半导体器件领域，解决了现有技术中半导体器件耐压低，工艺复杂和制作设备昂贵的问题，该半导体器件的耐压漂移区从下至上包括高掺杂浓度的低阻衬底层N++，低掺杂浓度的高阻层N‑，和较高掺杂浓度的低阻层N；在低阻层N上进行硅刻蚀形成沟槽或孔，沟槽或深度为到达或接近低掺杂浓度的高阻层N‑，在沟槽或孔内制作P栅和绝缘层；在绝缘层内制作电极。本发明结构及工艺简单，制造成本低。在内场板结构的沟槽或孔的底形成P型栅，结合内场板结构，实现器件的高耐压，降低了通态电阻或压降。以600V的VDMOSFET器件为例，采用该耐压漂移区，在同等芯片面积下，通态电阻可以降低20％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 内场 板结 结合 耐压 漂移 半导体器件 | ||
【主权项】：
具有内场板结构与P型栅结合的耐压漂移区的半导体器件，其特征在于，该半导体器件的耐压漂移区从下至上包括：高掺杂浓度的低阻衬底层N++，低掺杂浓度的高阻层N‑，和较高掺杂浓度的低阻层N；在低阻层N上进行硅刻蚀形成沟槽或孔，沟槽或孔深度为2μm－10μm；并到达低掺杂浓度的高阻层N‑，在沟槽或孔内制作绝缘层，在沟槽或孔底部制作P栅；在绝缘层内制作电极。
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