[发明专利]一种提高发光二极管外延良率的生长方法有效
| 申请号： | 201610788677.5 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106328775B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;林志伟;童吉楚;程伟;陈凯轩;姜伟;卓祥景;王爱民 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L21/203 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种提高发光二极管外延良率的生长方法，一，采用PVD蒸镀衬底；二，采用MOCVD在AlN缓冲层上三维生长第一3D层；三，蚀刻PSS图形侧面和衬底平面上的第一3D层，直至PSS图形侧面的第一3D层被完全蚀刻掉；四，降温继续三维生长第二3D层；五，蚀刻PSS图形侧面和衬底平面上的第二3D层，直至PSS图形侧面的第二3D层被完全蚀刻掉，且PSS图形侧面的AlN缓冲层也被部分蚀刻，而平面上第二3D层部分蚀刻；六，重复以上循环多次；七，接着在最上层3D层上依次生长非故意掺杂层、n型导电层、有源区和P型导电层。本发明解决在外延生长过程产生外延片的一致性变差，影响外延片的良率的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高发光二极管外延良率的生长方法，其特征在于：包括以下步骤：一，在衬底上形成PSS图形，在衬底上采用PVD进行蒸镀，在衬底上形成AlN缓冲层；二，采用MOCVD在AlN缓冲层上三维生长第一3D层，第一3D层为GaN；三，升高温度20-80℃，同时蚀刻PSS图形侧面和衬底平面上的第一3D层，直至PSS图形侧面的第一3D层被完全蚀刻掉，且PSS图形侧面的AlN缓冲层也被部分蚀刻，而平面上的第一3D层部分蚀刻；四，降温继续三维生长第二3D层，第二3D层为GaN；五，升高温度20-80℃，同时蚀刻PSS图形侧面和衬底平面上的第二3D层，直至PSS图形侧面的第二3D层被完全蚀刻掉，且PSS图形侧面的AlN缓冲层也被部分蚀刻，而平面上第二3D层部分蚀刻；六，重复以上循环多次，直至把PSS图形侧面的AlN缓冲层去除，而衬底平面上依然保留AlN缓冲层；七，接着在最上层3D层上依次生长非故意掺杂层、n型导电层、有源区和P型导电层。
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