[发明专利]刻蚀设备以及用于去除晶背边缘薄膜的晶背边缘刻蚀方法有效
| 申请号： | 201610776793.5 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106206236B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;陈宏璘;龙吟;王恺 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种刻蚀设备以及用于去除晶背边缘薄膜的晶背边缘刻蚀方法。根据本发明的刻蚀设备包括上屏蔽挡板、侧面屏蔽挡板以及底部屏蔽挡板；其中，上屏蔽挡板覆盖在将被刻蚀的晶圆的上表面；侧面屏蔽挡板覆盖在将被刻蚀的晶圆的侧表面；底部屏蔽挡板布置在用于支撑将被刻蚀的晶圆的基座的侧部，使得基座与底部屏蔽挡板一起覆盖了将被刻蚀的晶圆的下表面的中心区域。此外，根据本发明的晶背边缘刻蚀方法包括对晶圆执行原子层氧化物薄膜沉积；将原子层氧化物薄膜沉积后的晶圆布置到晶背边缘刻蚀机台中；在晶背边缘刻蚀机台中执行刻蚀以去除晶背薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 设备 以及 用于 去除 边缘 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀设备，其特征在于包括：上屏蔽挡板、侧面屏蔽挡板以及底部屏蔽挡板；其中，上屏蔽挡板覆盖在将被刻蚀的晶圆的上表面；侧面屏蔽挡板覆盖在将被刻蚀的晶圆的侧表面；底部屏蔽挡板布置在用于支撑将被刻蚀的晶圆的基座的侧部，使得基座与底部屏蔽挡板一起覆盖了将被刻蚀的晶圆的下表面的中心区域。
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