[发明专利]刻蚀设备以及用于去除晶背边缘薄膜的晶背边缘刻蚀方法

权利要求书

1.一种刻蚀设备，其特征在于包括：上屏蔽挡板、侧面屏蔽挡板以及底部屏蔽挡板；其中，上屏蔽挡板覆盖在将被刻蚀的晶圆的上表面；侧面屏蔽挡板覆盖在将被刻蚀的晶圆的侧表面；底部屏蔽挡板布置在用于支撑将被刻蚀的晶圆的基座的侧部，使得基座与底部屏蔽挡板一起覆盖了将被刻蚀的晶圆的下表面的中心区域。

2.根据权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，上屏蔽挡板、侧屏蔽挡板和底部屏蔽挡板三者相互单独运动。

3.根据权利要求1或2所述的刻蚀设备，其特征在于，上屏蔽挡板、侧屏蔽挡板和底部屏蔽挡板分别与晶圆的上表面、晶圆的侧表面以及晶圆的下表面的距离是可调整的。

4.根据权利要求1或2所述的刻蚀设备，其特征在于，底部屏蔽挡板的大小是可调整的而且是可更换的。

5.一种用于去除晶背边缘薄膜的晶背边缘刻蚀方法，其特征在于包括：

第一步骤：对晶圆执行原子层氧化物薄膜沉积；

第二步骤：将原子层氧化物薄膜沉积后的晶圆布置到如权利要求1-4中任意一项所述的刻蚀设备中；

第三步骤：在所述刻蚀设备中执行刻蚀以去除晶背薄膜。

6.根据权利要求5所述的用于去除晶背边缘薄膜的晶背边缘刻蚀方法，其特征在于，在第二步骤中，利用上屏蔽挡板覆盖将被刻蚀的晶圆的上表面；利用侧面屏蔽挡板覆盖将被刻蚀的晶圆的侧表面；将底部屏蔽挡板布置在用于支撑将被刻蚀的晶圆的基座的侧部，使得基座与底部屏蔽挡板一起覆盖了将被刻蚀的晶圆的下表面的中心区域。

7.根据权利要求5或6所述的用于去除晶背边缘薄膜的晶背边缘刻蚀方法，其特征在于，上屏蔽挡板、侧屏蔽挡板和底部屏蔽挡板三者相互单独运动。

8.根据权利要求5或6所述的用于去除晶背边缘薄膜的晶背边缘刻蚀方法，其特征在于，上屏蔽挡板、侧屏蔽挡板和底部屏蔽挡板分别与晶圆的上表面、晶圆的侧表面以及晶圆的下表面的距离是可调整的。

9.根据权利要求5或6所述的用于去除晶背边缘薄膜的晶背边缘刻蚀方法，其特征在于，底部屏蔽挡板的大小是可调整的而且是可更换的。