[发明专利]鳍式场效应晶体管器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件包括半导体衬底、至少一个第一隔离结构、至少一个第二隔离结构、源极结构、漏极结构和多个半导体鳍。第一隔离结构和第二隔离结构位于半导体衬底上。源极结构位于半导体衬底和第一隔离结构上，其中，至少一个第一间隙位于源极结构和第一隔离结构之间。漏极结构位于半导体衬底和第二隔离结构上，其中，至少一个第二间隙位于漏极结构和第二隔离结构之间。半导体鳍从半导体衬底突出，其中半导体鳍彼此间隔开并且连接源极结构和漏极结构。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管器件及其制造方法。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；至少一个第一隔离结构，位于所述半导体衬底上；至少一个第二隔离结构，位于所述半导体衬底上；源极结构，位于所述半导体衬底和所述第一隔离结构上，其中，至少一个第一间隙位于所述源极结构和所述第一隔离结构之间；漏极结构，位于所述半导体衬底和所述第二隔离结构上，其中，至少一个第二间隙位于所述漏极结构和所述第二隔离结构之间；以及多个半导体鳍，从所述半导体衬底突出，其中，所述半导体鳍彼此间隔开，并且所述半导体鳍连接所述源极结构和所述漏极结构。