[发明专利]一种过孔的制作方法及显示基板的制作方法有效
申请号: | 201610757034.4 | 申请日: | 2016-08-29 |
公开(公告)号: | CN106298643B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 苏同上;王东方;杜生平;袁广才 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/77;H01L23/538;H01L27/12 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种过孔的制作方法及显示基板的制作方法,涉及显示技术领域,解决了因过孔的坡度角较大而导致显示基板的良率较低的问题。所述过孔的制作方法包括:在待制作过孔的薄膜上形成光刻胶;对光刻胶进行n次曝光,形成曝光区,曝光区与过孔对应,其中,各次对光刻胶进行曝光,光刻胶的曝光厚度之和等于光刻胶的初始厚度,且第i次曝光时采用的光的波长小于第i‑1次曝光时采用的光的波长,n≥2,2≤i≤n;对薄膜中与曝光区对应的区域进行刻蚀,形成过孔。本发明提供的过孔的制作方法用于制作过孔。 | ||
搜索关键词: | 一种 制作方法 显示 | ||
【主权项】:
1.一种过孔的制作方法,其特征在于,包括:在待制作过孔的薄膜上形成光刻胶;对所述光刻胶进行n次曝光,形成曝光区,所述曝光区与所述过孔对应,其中,各次对所述光刻胶进行曝光,所述光刻胶的曝光厚度之和等于所述光刻胶的初始厚度,且第i次曝光时采用的光的波长小于第i‑1次曝光时采用的光的波长,n≥2,2≤i≤n;对所述薄膜中与所述曝光区对应的区域进行刻蚀,形成所述过孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610757034.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:庭院门(5)
- 下一篇:复合清灰离线脉冲袋式除尘器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造