[发明专利]生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201610754971.4 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106158592A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李国强;王文樑;朱运农;杨为家 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18;H01L31/0304;H01L33/00;H01L33/32;H01S5/323;H01S5/343 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜，包括依次生长在ScMgAlO4衬底上的GaN缓冲层，GaN形核层，GaN非晶层以及GaN薄膜。所述ScMgAlO4衬底以(0001)面偏(11‑20)面0.5～1°为外延面。本发明还公开了上述GaN薄膜的制备方法和应用。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，同时采用了非晶层技术，所以本发明制备的GaN薄膜具有晶体质量好、缺陷密度低等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 铝酸镁钪 衬底 gan 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜，其特征在于，包括依次生长在ScMgAlO4衬底上的GaN缓冲层、GaN形核层，GaN非晶层和GaN薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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