[发明专利]高频开关在审
| 申请号： | 201610750737.4 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106997901A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 西堀一弥;增田敬太;须贺彻;中川贵博;柴田和彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H03K17/687 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种高频开关，能够减少高频信号的插入损失。实施方式的高频开关具备切换高频信号的路线的开关电路以及控制开关电路的控制电路。开关电路具有多个n型MOSFET。多个n型MOSFET具有源极层、漏极层、在源极层与漏极层之间设置的主体区域、在主体区域之上设置的栅极电极、以及设置为覆盖源极层、漏极层以及栅极电极并且具有拉伸内部应力的氮化硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 开关 | ||
【主权项】：
一种高频开关，具备：开关电路，切换高频信号的路线；以及控制电路，控制上述开关电路，上述开关电路具有多个n型MOSFET，上述多个n型MOSFET具有：源极层；漏极层；主体区域，设置于上述源极层与上述漏极层之间；栅极电极，设置于上述主体区域之上；以及氮化硅膜，设置为覆盖上述源极层、上述漏极层以及上述栅极电极，该氮化硅膜具有拉伸内部应力。
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