[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201610742346.8 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106653752B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 李佳叡;吴国铭;林怡君;亚历山大·卡尔尼茨基 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括具有第一浓度的第一块状区域中的第一源极区域以及具有第一栅极。第二晶体管包括具有比第一浓度高的第二浓度的第二块状区域中的第二源极区域。第二源极区域与第一源极区域和第一栅极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n第一晶体管，包括：/n第一源极区域，位于具有第一浓度的第一块状区域中；和/n第一栅极；以及/n第二晶体管，包括：/n第二源极区域，位于具有比所述第一浓度高的第二浓度的第二块状区域中，所述第二源极区域与所述第一源极区域和所述第一栅极连接；/n第一浅沟槽隔离件(STI)和第二浅沟槽隔离件以及所述第一浅沟槽隔离件和所述第二浅沟槽隔离件之间的掺杂区域，/n所述第二浓度高于所述第一浓度以使所述第二晶体管的阈值电压大于所述第一晶体管的阈值电压。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
