[发明专利]具有裂纹终止的集成电路结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610738269.9 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106486477B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | J·S·梁;荻野·淳;S·E·格勒乔;R·A·阔恩 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及具有裂纹终止的集成电路结构及其形成方法。本发明的第一态样在提供集成电路结构。该集成电路结构可以包括在裂纹终止区域中的衬底上的第一介电层中的第一金属结构；以及在第二介电层中的第一裂纹终止结构，且该第一裂纹终止结构是在该第一金属结构上方并包含：接触该第一金属结构的第一金属填覆；以及实质上分隔该第一金属填覆及该第二介电层的空气缝隙。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 裂纹 终止 集成电路 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：第一金属结构，其在裂纹终止区域中的衬底上的第一介电层中；以及第一裂纹终止结构，其在第二介电层中,且该第一裂纹终止结构是在该第一金属结构上方并包含：第一金属填覆，其接触该第一金属结构；以及第一空气缝隙，其实质上分隔该第一金属填覆及该第二介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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