[发明专利]像素结构及其制备方法、以及显示面板有效
申请号: | 201610726282.2 | 申请日: | 2016-08-25 |
公开(公告)号: | CN106298804B | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 常宇;李磊;胡明 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种像素结构及其制备方法、以及显示面板。上述像素结构包括:基板;柱状有源层,设置在基板上,柱状有源层包括源极、漏极以及位于源极和漏极之间的沟道,源极、沟道和漏极层叠设置;第一绝缘层,环绕包覆柱状有源层的外侧并覆盖基板;第一导电层,环绕包覆在第一绝缘层的外侧;第一电容介质层,环绕包覆在第一导电层的外侧;第二导电层,环绕包覆在第一电容介质层的外侧;第二电容介质层,环绕包覆在第二导电层的外侧;第二绝缘层,覆盖第一绝缘层、第一导电层、第一电容介质层、第二导电层以及第二电容介质层的顶端;像素电极,设置在柱状有源层上,与源极或者漏极连接。本发明的像素结构减小了TFT单元的面积,提高了显示面板的PPI。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 制备 方法 以及 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,其特征在于,包括:基板;柱状有源层,设置在所述基板上,所述柱状有源层包括源极、漏极以及位于所述源极和所述漏极之间的沟道,所述源极、所述沟道和所述漏极层叠设置;第一绝缘层,环绕包覆所述柱状有源层的外侧并覆盖所述基板;第一导电层,环绕包覆在所述第一绝缘层的外侧;第一电容介质层,环绕包覆在所述第一导电层的外侧;第二导电层,环绕包覆在所述第一电容介质层的外侧;第二电容介质层,环绕包覆在所述第二导电层的外侧;第二绝缘层,覆盖所述第一绝缘层、所述第一导电层、所述第一电容介质层、所述第二导电层以及所述第二电容介质层的顶端;以及像素电极,设置在所述柱状有源层上,与所述源极或者所述漏极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的