[发明专利]用双峰工艺气体组合物进行等离子体蚀刻的方法和系统有效
| 申请号： | 201610719175.7 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106653550B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 谭忠奎;傅乾;吴英;许晴;向华 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用双峰工艺气体组合物进行等离子体蚀刻的方法和系统。将衬底设置在处理模块内的衬底支架上。所述衬底包括覆盖靶材料的掩模材料，其中所述靶材料中的至少一个部分通过所述掩模材料中的开口暴露。供给双峰工艺气体组合物到在所述衬底上的等离子体产生区域。在第一时间段,施加第一射频功率到所述双峰工艺气体组合物以产生造成在所述衬底上的蚀刻为主的效果的等离子体。在所述第一时间段结束后的第二时间段,施加第二射频功率到所述双峰工艺气体组合物以产生造成在所述衬底上的沉积为主的效果的等离子体。在用以去除暴露的所要求量的所述靶材料的总的时间段，以交替和连续的方式施加所述第一射频功率和所述第二射频功率。 | ||
| 搜索关键词： | 双峰 工艺 气体 组合 进行 等离子体 蚀刻 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于在半导体器件的制造中对靶材料进行等离子体蚀刻的方法，该方法包括：(a)将衬底设置在处理模块内的衬底支架上，其中，所述衬底包括覆盖靶材料的掩模材料，其中所述靶材料中的至少一个部分通过所述掩模材料中的开口暴露；(b)供给双峰工艺气体组合物到所述衬底上的等离子体产生区域；(c)在第一时间段,施加第一射频功率到所述等离子体产生区域内的所述双峰工艺气体组合物以产生暴露于所述衬底的等离子体，通过施加所述第一射频功率产生的所述等离子体造成在所述衬底上蚀刻为主的效果；(d)在所述第一时间段结束后的第二时间段,施加第二射频功率到所述等离子体产生区域内的所述双峰工艺气体组合物以产生暴露于所述衬底的等离子体，其中，施加所述第二射频功率而不是所述第一射频功率，通过施加所述第二射频功率而产生的等离子体造成在所述衬底上的沉积为主的效果；以及(e)以交替和连续的方式重复操作(c)和(d)持续去除暴露在所述衬底上的所要求量的所述靶材料所必需的总的时间段。
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