[发明专利]具有SOI掺杂源的锗光检测器有效
| 申请号： | 201610694087.6 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106469765B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | S·M·尚克;J·J·埃利斯莫纳格汉;M·H·哈提尔;J·S·奥克特 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/08;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及具有SOI掺杂源的锗光检测器，各种特定的实施例包括用于形成光检测器的方法，包括：形成一结构，该结构包括设置在掺杂硅(Si)层及锗(Ge)层之间的阻挡层，该阻挡层包括结晶窗；以及退火该结构，以经由结晶窗转换Ge变为硅锗(SiGe)的第一组成物及掺杂Si变为SiGe的第二组成物。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 soi 掺杂 检测器 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成光检测器的方法，包括：形成一结构，该结构包括设置在掺杂硅层与锗层之间的阻挡层，该阻挡层包括结晶窗；以及退火该结构，以经由结晶窗转换该锗变为渐变硅锗的第一组成物及该掺杂硅变为渐变硅锗的第二组成物；使用一个或多个掩模结构向该硅锗的第一组成物掺杂p型掺杂剂与n+型掺杂剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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