[发明专利]TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法，该方法通过半色调光罩或灰阶光罩图案化钝化层，进而通过一道光罩就可以制得像素电极过孔和沟槽图案化的钝化层，接着在沟槽图案化的钝化层上直接顺势沉积透明导电材料，即可制得像素电极，该像素电极无需光罩进行图案化，整个TFT基板的制作只需要3道光罩即可完成，且不需要采用氧化铟锡剥离技术，制作难度低，效率高。

主权项

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板（1），在所述基板（1）上沉积第一金属层并通过一道光罩图案化所述第一金属层，形成栅极（21）以及与所述栅极（21）电性连接的栅极线（22）；步骤2、在所述基板（1）、栅极（21）、及栅极线（22）上沉积栅极绝缘层（3）；步骤3、在所述栅极绝缘层（3）上沉积半导体层及第二金属层并通过一道光罩同时图案化所述半导体层及第二金属层，形成位于所述栅极（21）上的栅极绝缘层（3）上的有源层（4）、分别与所述有源层（4）的两端接触的源极（51）和漏极（52）、以及与所述源极（51）电性连接的数据线（53）；步骤4、在所述源极（51）、漏极（52）、数据线（53）、有源层（4）、以及栅极绝缘层（3）上沉积钝化层（6）；步骤5、在所述钝化层（6）上涂布光阻，形成光阻层（7），通过一道光罩图案化所述光阻层（7），完全去除对应于一部分漏极（52）上方以及待形成像素电极的区域边缘的光阻层（7），暴露出该部分漏极（52）上方以及待形成像素电极的区域边缘的钝化层（6），同时减薄待形成像素电极的区域内部分光阻层（7）的厚度，形成向多个不同方向延伸的光阻沟槽（71）；步骤6、利用剩余的光阻层（7）做遮挡进行第一次蚀刻，完全去除所述漏极（52）上方的未被光阻层（7）遮挡的钝化层（6），暴露出漏极（52）的一部分，同时部分去除待形成像素电极的区域边缘的钝化层（6），减薄待形成像素电极的区域边缘的部分钝化层（6）的厚度，接着进行第一次光阻灰化，完全去除各个光阻沟槽（71）内的光阻层（7），减薄各个光阻沟槽（71）两侧的光阻层（7）的厚度；暴露出漏极（52）的槽中靠近源极（51）一侧的钝化层（6）的锥度角和远离源极（51）一侧的钝化层（6）的锥度角均小于或等于90度；步骤7、利用剩余的光阻层（7）做遮挡进行第二次蚀刻，减薄各个光阻沟槽（71）内的钝化层（6）的厚度，形成向多个不同方向延伸的钝化层沟槽（61），同时部分去除或完全去除待形成像素电极的区域边缘的剩余的钝化层（6），形成位于待形成像素电极的区域边缘的像素间隔槽（62）；所述像素间隔槽（62）中位于所述漏极（52）上方的部分靠近源极（51）一侧的钝化层（6）的锥度角大于90度，远离源极（51）一侧的钝化层（6）的锥度角小于90度；步骤8、完全去除剩余的光阻层（7），在所述钝化层（6）、以及暴露的漏极（52）上沉积透明导电层，所述透明导电层在沉积时在所述像素间隔槽（62）处断开，形成与所述漏极（52）接触的像素电极（81），所述像素电极（81）顺着所述钝化层沟槽（61）形成有凹凸不平的图案。