[发明专利]一种紫外宽频纳米半导体异质结材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种紫外宽频纳米半导体异质结材料的制备方法，属于纳米半导体异质结材料制备技术领域。针对现有的TiO2半导体催化剂光催化宽度较窄，无法利用可见光作为光源，作为光敏材料使用时适用范围较小的问题，提供了一种通过将Zn（NO3）2与Al（NO3）3制备紫外插层水滑石，同时通过改性插层水滑石制备紫外宽频纳米半导体异质结材料，有效的使二氧化钛光催化宽度提高，）本发明制备的紫外宽频纳米半导体异质结材料在可见光下可对有机物进行降解，且降解时间缩短25～30%，且制作工艺简单，且原材料易得，有效节约了制备成本。

主权项

一种紫外宽频纳米半导体异质结材料的制备方法，其特征在于具体制备步骤为：（1）按质量比1:5，将对二甲氨基苯甲酸与1mol/L氢氧化钠溶液搅拌混合，在室温下静置3～5h，制备得对二甲氨基苯甲酸碱化液，随后按Zn2+：Al3+摩尔比2:1，将Zn（NO3）2与Al（NO3）3搅拌混合，制备得混合粉末，随后按质量比1:10，将混合粉末与1mol/L氢氧化钠搅拌混合，在室温下静置陈化3～5h，制备得纳米锌铝混合液；（2）在氮气保护下，按体积比1:1，将上述制备的纳米锌铝混合液与对二甲氨基苯甲酸碱化液搅拌混合并置于三口烧瓶中，在65～70℃下水浴20～24h，随后过滤并收集滤渣，用85～90℃去离子水洗涤至淋洗液pH至7.0后，在65～70℃下干燥10～12h，制备得紫外改性插层水滑石材料，备用；（3）按质量比1:10，将全氟辛酸铵与二氯甲烷搅拌混合，在200～300W下超声振荡处理15～20min，随后在室温下静置陈化20～24h，制备得有机改性液，随后按质量比1:5，将有机改性液与二氧化钛颗粒搅拌混合，在45～50℃下水浴加热2～3h，待水浴加热完成后，再在65～70℃下旋转蒸发至干，收集干燥颗粒，用去离子水洗涤3～5次，在65～70℃下干燥6～8h，制备得改性二氧化钛颗粒；（4）按质量比1:5，将步骤（2）制备的紫外改性插层水滑石材料与改性二氧化钛颗粒搅拌混合并置于球磨罐中，在450～500℃下球磨3～5h，待球磨完成后，即可制备得一种紫外宽频纳米半导体异质结材料。