[发明专利]一种半导体气体传感器的气-液界面加工方法

摘要

本发明提出了一种半导体气体传感器的气‑液界面加工方法包括以下步骤：配制前驱液；利用紫外光照射前驱溶液在溶液表面制备薄膜；用干净的玻璃片捞起表层的薄膜并转移到去离子水表面对薄膜进行洗涤；用陶瓷管将去离子水清洗过的薄膜捞起；将附有薄膜的陶瓷管焊接在气体传感器专用基座上，陶瓷管内通有加热电阻丝；将基座插在气敏测试系统上，对电阻丝施加电压，获得成分稳定的薄膜后即得到气体传感器。本发明实现了在传感器衬底上附着上气敏材料，改善了目前气体传感器加工过程中多步操作、高温加工、稳定性、重复加工及批量加工方面的缺陷，具有原料易得、过程简单、易于操作和批量生产的特点，具有良好气体响应和恢复性能以及优异的稳定性。

主权项

1.一种半导体气体传感器的气‑液界面加工方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、配制前驱水溶液；即将浓度为0.025‑1.2mol/l的硫酸镉和浓度为0.025‑1.2mol/l的硫代硫酸钠加入到200ml去离子水中超声溶解，得到镉前驱液；S2、将盛放镉前驱液的器皿盖上保鲜膜后转移到暗室中，置放于2盏8W、254nm的紫外灯下，室温下光照一定时间，以在溶液表面制备薄膜；S3、用干净的玻璃片捞起表层的薄膜并转移到去离子水表面对薄膜进行洗涤；S4、静置0.1‑1小时后，用陶瓷管将薄膜捞起，之后于60℃中干燥，得到富含镉的硫化镉纳米管；S5、将附有薄膜的陶瓷管焊接在气体传感器专用基座上，陶瓷管内通有加热电阻丝；S6、将基座插在气敏测试系统上，对电阻丝施加电压，在180‑250℃热处理0.5‑1小时，即得到氧化镉‑硫化镉复合薄膜气体传感器。