[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610651669.6 | 申请日： | 2016-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN106601812B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体器件包括衬底、绝缘结构和栅极堆叠件。该衬底具有至少一个半导体鳍。该绝缘结构设置在衬底之上并且与半导体鳍分隔开以在其间形成间隙。该绝缘结构具有面向半导体鳍的侧壁。该栅极堆叠件覆盖至少部分半导体鳍并且至少设置在绝缘结构和半导体鳍之间的间隙中。该栅极堆叠件包括高k介电层和栅电极。高k介电层覆盖半导体鳍而留下绝缘结构的侧壁未被覆盖。栅电极设置在高k介电层之上并且至少位于绝缘结构和半导体鳍之间的间隙中。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，具有至少一个半导体鳍；绝缘结构，设置在所述衬底之上并且与所述半导体鳍分隔开以在所述绝缘结构和所述半导体鳍之间形成间隙，其中，所述绝缘结构具有面向所述半导体鳍的侧壁；以及栅极堆叠件，覆盖至少部分所述半导体鳍并且至少设置在所述绝缘结构和所述半导体鳍之间的所述间隙中，其中，所述栅极堆叠件包括：高k介电层，覆盖所述半导体鳍而留下所述绝缘结构的所述侧壁未被覆盖；和栅电极，设置在所述高k介电层之上并且至少位于所述绝缘结构和所述半导体鳍之间的所述间隙中。
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